MBE脱氧条件与InGaAs/InP APD性能的相关性OA北大核心CSTPCD
Correlation between MBE deoxidation conditions and InGaAs/InP APD performance
InP基InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)对近红外光具有高敏感度,使其成为微弱信号和单光子探测的理想光电器件.然而随着先进器件结构越来越复杂,厚度尺寸从量子点到几微米不等,性能越来越受材料中晶格缺陷的影响和工艺条件的制约.采用固态源分子束外延(MBE)技术分别在As和P气氛保护下对InP衬底进行脱氧处理并外延生长晶格匹配的In0.53Ga0.47As薄膜和APD结构材料.实验结果表明,As脱氧在MBE材料质量方面比P脱氧具有明显的优势,…查看全部>>
InP-based InGaAs/InP avalanche photodiodes(APDs)have high sensitivity to near-infrared light,making them ideal optoelectronic devices for weak signal and single-photon detection.However,as device struc-tures become complex and advanced,with thickness and sizes ranging from quantum dots to several micrometers,performance is increasingly constrained by defects in the lattice of the material and the process conditions.Solid source molecular beam epitaxy(MBE)tec…查看全部>>
郭子路;陆卫;王文娟;曲会丹;范柳燕;诸毅诚;王亚杰;郑长林;王兴军;陈平平
中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083||中国科学院大学,北京 100049||上海科技大学 物质科学与技术学院,上海 201210中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083||中国科学院大学,北京 100049||上海科技大学 物质科学与技术学院,上海 201210||上海量子科学研究中心,上海 201315中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083||上海量子科学研究中心,上海 201315中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083||中国科学院大学,北京 100049复旦大学 应用表面物理国家重点实验室和物理学系,上海 200438复旦大学 应用表面物理国家重点实验室和物理学系,上海 200438中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083
物理学
分子束外延P/As切换异质界面扩散InGaAs/InP雪崩光电二极管
molecular beam epitaxyP/As exchangeheterointerface diffusionInGaAs/InP APD
《红外与毫米波学报》 2024 (1)
透射电子显微镜的物质透镜成像研究
63-69,7
Supported by the National Natural Science Foundation of China(12027805,62171136,62174166,U2241219)the Science and Tech-nology Commission of Shanghai Municipality(2019SHZDZX01,22JC1402902)and the Strategic Priority Research Program of the Chinese Academy of Sci-ences(XDB43010200).
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