桂林电子科技大学学报2023，Vol.43Issue(6)：P.431-438,8.DOI:10.3969/1673-808X.202292
基于应变迁移率模型对应变沟道AlGaN/GaNHEMT器件电子输运特性的研究
摘要
关键词
GaN/AlGaN/2DEG/应变沟道/有效迁移率/电子输运分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘子玉,陈永和,马旺,孙远远,杨叶..基于应变迁移率模型对应变沟道AlGaN/GaNHEMT器件电子输运特性的研究[J].桂林电子科技大学学报,2023,43(6):P.431-438,8.基金项目
广西自然科学基金(2018GXNSFAA138025) （2018GXNSFAA138025）
广西科技计划(AD18281037)。 （AD18281037）
