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一种高精度8TSRAM存储阵列存内计算电路

韦雪明 周立昕 尹仁川 许仕海 蒋丽 李建华

桂林电子科技大学学报2023,Vol.43Issue(6):P.465-472,8.
桂林电子科技大学学报2023,Vol.43Issue(6):P.465-472,8.DOI:10.3969/1673-808X.2022141

一种高精度8TSRAM存储阵列存内计算电路

韦雪明 1周立昕 1尹仁川 1许仕海 1蒋丽 1李建华2

作者信息

  • 1. 桂林电子科技大学广西无线宽带通信与信号处理重点实验室,广西桂林541004
  • 2. 江西洪都航空工业集团有限责任公司,南昌330001
  • 折叠

摘要

关键词

存内计算/CMOS/8T SRAM/点乘累加计算/高线性度

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

韦雪明,周立昕,尹仁川,许仕海,蒋丽,李建华..一种高精度8TSRAM存储阵列存内计算电路[J].桂林电子科技大学学报,2023,43(6):P.465-472,8.

基金项目

广西无线宽带通信与信号处理重点实验室主任基金(GXKL06200131) (GXKL06200131)

桂林电子科技大学研究生教育创新计划(2022YCXS034) (2022YCXS034)

南昌市双百计划创新团队项目。 ()

桂林电子科技大学学报

1673-808X

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