桂林电子科技大学学报2023，Vol.43Issue(6)：P.439-445,7.DOI:10.3969/1673-808X.2022106
一种利用多P埋层的低导通电阻高压SOILDMOS结构
摘要
关键词
击穿电压/比导通电阻/多埋层/阶跃掺杂/LDMOS分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
姜焱彬,李琦,王磊,杨保争,何智超..一种利用多P埋层的低导通电阻高压SOILDMOS结构[J].桂林电子科技大学学报,2023,43(6):P.439-445,7.基金项目
国家自然科学基金(61464003)。 （61464003）
