桂林电子科技大学学报2023，Vol.43Issue(6)：P.486-492,7.DOI:10.3969/1673-808X.2022113
工艺参数、退火温度对钽氮化物薄膜生长速率、相结构及电学性能的影响
摘要
关键词
TaN薄膜/磁控溅射/薄膜结构/电阻温度系数(TCR)/退火分类
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李海鸥,牟凯瑞,刘兴鹏,杨曌..工艺参数、退火温度对钽氮化物薄膜生长速率、相结构及电学性能的影响[J].桂林电子科技大学学报,2023,43(6):P.486-492,7.基金项目
新型电子元器件关键材料与工艺国家重点实验室开放基金(FHR-JS-201909007)。 （FHR-JS-201909007）
