3D NAND闪存中氟攻击问题引起的字线漏电的改进OA北大核心CSTPCD
随着3D NAND闪存向更高层数堆叠,后栅工艺下,金属钨(W)栅字线(WL)层填充工艺面临的挑战进一步增大.由于填充路径增长,钨栅在沉积过程中易产生空洞,造成含氟(F)副产物的聚集,引起氟攻击问题.具体表现为,在后续高温制程的激发下,含氟副产物向周围结构扩散,侵蚀其周边氧化物层,导致字线漏电,影响器件的良率及可靠性.本文首先分析了在3D NAND闪存中氟攻击的微观原理,并提出了通过低压退火改善氟攻击问题的方法.接下来对平面薄膜叠层与三维填充结构进行常压与低压下的退火实验,并使用多种方法对残留氟元素的浓度与分布进行表征.实验结果表明,适当条件下的低压退火,使得钨栅中的残余氟有效地被排出,可以有效降低字线的漏电指数,提高3D NAND闪存的质量.
方语萱;夏志良;杨涛;周文犀;霍宗亮;
中国科学院微电子研究所,北京100029 中国科学院大学,北京101408长江存储科技有限责任公司,武汉430071长江存储科技有限责任公司,武汉430071 长江先进存储产业创新中心有限责任公司,武汉430014
计算机与自动化
3D NAND闪存氟攻击问题字线漏电低压退火
《物理学报》 2024 (006)
P.368-373 / 6
国家科技重大专项(批准号:21-02)资助的课题。
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