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3D NAND闪存中氟攻击问题引起的字线漏电的改进

方语萱 夏志良 杨涛 周文犀 霍宗亮

物理学报2024，Vol.73Issue(6)：P.368-373,6.
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物理学报2024，Vol.73Issue(6)：P.368-373,6.DOI:10.7498/aps.73.20231557

3D NAND闪存中氟攻击问题引起的字线漏电的改进

方语萱 1夏志良 2杨涛 1周文犀 2霍宗亮3

作者信息

  • 1. 中国科学院微电子研究所,北京100029 中国科学院大学,北京101408
  • 2. 长江存储科技有限责任公司,武汉430071
  • 3. 长江存储科技有限责任公司,武汉430071 长江先进存储产业创新中心有限责任公司,武汉430014
  • 折叠

摘要

关键词

3D NAND闪存/氟攻击问题/字线漏电/低压退火

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

方语萱,夏志良,杨涛,周文犀,霍宗亮..3D NAND闪存中氟攻击问题引起的字线漏电的改进[J].物理学报,2024,73(6):P.368-373,6.

基金项目

国家科技重大专项(批准号:21-02)资助的课题。 （批准号:21-02）

物理学报

OA北大核心CSTPCD

1000-3290

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