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B位空位补偿型钐掺杂PZT(54/46)陶瓷中的缺陷分析及其对压电性能的影响

杨静 冯少蓉 张涛 牛旭平 王荣 李敏 于润升 曹兴忠 王宝义

物理学报2024，Vol.73Issue(7)：P.307-315,9.
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物理学报2024，Vol.73Issue(7)：P.307-315,9.DOI:10.7498/aps.73.20231872

B位空位补偿型钐掺杂PZT(54/46)陶瓷中的缺陷分析及其对压电性能的影响

杨静 1冯少蓉 1张涛 2牛旭平 1王荣 1李敏 1于润升 3曹兴忠 3王宝义3

作者信息

  • 1. 西安科技大学理学院,西安710600
  • 2. 西安科技大学材料科学与工程学院,西安710600
  • 3. 中国科学院高能物理研究所,北京100049
  • 折叠

摘要

关键词

PZT压电陶瓷/正电子湮没技术/空位缺陷

分类

化学化工

引用本文复制引用

杨静,冯少蓉,张涛,牛旭平,王荣,李敏,于润升,曹兴忠,王宝义..B位空位补偿型钐掺杂PZT(54/46)陶瓷中的缺陷分析及其对压电性能的影响[J].物理学报,2024,73(7):P.307-315,9.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:12075189,11605133,12004300,11974275) （批准号:12075189,11605133,12004300,11974275）

中国博士后科学基金(批准号:2018M643813XB) （批准号:2018M643813XB）

陕西省联合基金重点项目(批准号:2021JML-05)资助的课题。 （批准号:2021JML-05）

物理学报

OA北大核心CSTPCD

1000-3290

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