物理学报2024，Vol.73Issue(7)：P.292-299,8.DOI:10.7498/aps.73.20231677
超晶格插入层对InGaN/GaN多量子阱的应变调制作用
摘要
关键词
GaN/多量子阱/超晶格/应变调制分类
数理科学引用本文复制引用
曹文彧,张雅婷,魏彦锋,朱丽娟,徐可,颜家圣,周书星,胡晓东..超晶格插入层对InGaN/GaN多量子阱的应变调制作用[J].物理学报,2024,73(7):P.292-299,8.基金项目
湖北省教育厅科研计划(批准号:Q20222607) （批准号:Q20222607）
襄阳市基础研究科技计划(批准号:2022ABH006045) （批准号:2022ABH006045）
电子制造与封装集成湖北省重点实验室(武汉大学)开放基金(批准号:EMPI2023009) （武汉大学）
湖北文理学院教学研究项目(批准号:JY2023017) （批准号:JY2023017）
湖北文理学院博士科研启动基金(批准号:2020170367)资助的课题。 （批准号:2020170367）
