低剂量电离辐射对人淋巴细胞氧化应激及DNA损伤的影响OACSTPCD

目的:探讨低剂量^(137)Cs γ射线照射后正常人淋巴细胞(AHH-1)是否产生氧化应激及DNA损伤,并引发DNA修复。方法:以剂量率为8.32 mGy/min的^(137)Cs γ射线照射AHH-1细胞,剂量分别为0(未照射)、0.01、0.02、0.05、0.075、0.1和0.2 Gy,照射后分别培养1、24、48和72 h。采用CCK-8试剂盒检测细胞存活率变化;丙二醛(MDA)、超氧化物歧化酶(SOD)和活性氧(ROS)试剂盒检测细胞氧化损伤水平;免疫荧光方法分析γH2AX和53BP1焦点形成情况;实时荧光定量PCR方法检测DNA损伤修复相关基因CDKN1A、DDB2和POLH的mRNA表达水平变化。结果:与未照射组相比,照射后24和48 h,各剂量组细胞存活率显著增强(P<0.05);照射后48 h,MDA水平和SOD活性在0.2 Gy剂量组发生显著变化(P<0.05);0.02~0.075 Gy和0.2 Gy剂量组ROS相对荧光强度显著升高(P<0.05);0~0.2 Gy γ射线照后1 h,γH2AX和53BP1焦点数量随剂量增加而增加,且具有明显的剂量-效应关系(P<0.01);与未照射组相比,照射后48 h,DDB2和POLH mRNA相对表达水平显著升高,差异具有统计学意义(P<0.05)。结论:低剂量电离辐射引起人淋巴细胞产生氧化应激和DNA损伤,并促进DNA损伤修复相关基因在转录水平发生改变。