β-Ga2O3的p型掺杂研究进展OA北大核心CSTPCD
Research Progress of p-type Doping of β-Ga2 O3
β-Ga2O3具有超宽禁带宽度、高击穿场强、较高的巴利加优值等优点使其成为一种新兴半导体材料,在高功率电子器件、气体传感器、日盲紫外探测器等方面有着极大的应用潜力,但p型掺杂难的问题成为了β-Ga2O3发展的巨大障碍.本文首先简要概述了β-Ga2O3的优点,并介绍了其晶体结构和基本性质.其次,说明了β-Ga2O3 的本征缺陷,尤其是氧空位对导电性能的影响.然后,详细讨论了β-Ga2O3 p型掺杂的研究现状,包括p型掺杂困难的原因和N掺杂、Mg掺杂…查看全部>>
β-Ga2O3 has many advantages such as wide bandgap,high breakdown field strength,and high Baliga's figure of merit,making it an emerging semiconductor material with great potential for high-power electronic devices,gas sensors,and solar-blind ultraviolet detectors.However,the challenge of achieving p-type doping poses a major obstacle to the development of β-Ga2O3.Firstly,the advantages of β-Ga2O3 have been outlined briefly,and its struc-ture and basic propert…查看全部>>
何俊洁;矫淑杰;聂伊尹;高世勇;王东博;王金忠
哈尔滨工业大学 材料科学与工程学院,黑龙江 哈尔滨 150001哈尔滨工业大学 材料科学与工程学院,黑龙江 哈尔滨 150001哈尔滨工业大学 材料科学与工程学院,黑龙江 哈尔滨 150001哈尔滨工业大学 材料科学与工程学院,黑龙江 哈尔滨 150001哈尔滨工业大学 材料科学与工程学院,黑龙江 哈尔滨 150001哈尔滨工业大学 材料科学与工程学院,黑龙江 哈尔滨 150001
物理学
β-Ga2O3本征缺陷p型掺杂宽禁带半导体半导体
β-Ga2O3intrinsic defectsp-type dopingwide bandgap semiconductorssemiconductors
《发光学报》 2024 (4)
557-567,11
国家自然科学基金(62174042)国家重点研发项目(2019YFA0705201)Supported by National Natural Science Foundation of China(62174042)National Key R&D Program of China(2019YFA0705201)
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