In掺杂对磁性半导体Li_(1.05)(Zn_(0.925),Mn_(0.075))As中铁磁序的调控OA北大核心CSTPCD
磁性半导体中磁矩受载流子调控形成有序态,但其机制尚存在着争议.本文利用高温固相反应法,通过(Zn^(2+),In^(3+))替换,即In^(3+)占据Zn^(2+)的晶格位置,在p型块状磁性半导体Li_(1.05)(Zn_(0.925),Mn_(0.075))As中引入n型载流子,成功合成了一系列Li_(1.05)(Zn_(0.925-y),Mn_(0.075),In_(y))As(y=0,0.05,0.075,0.1)新材料.在保持Mn掺杂浓度为7.5%不变时,仍可在所有In掺杂的样品中观察到铁磁转变.随着In掺杂浓度的增大,其居里温度被不断压制.样品的电阻率随着In掺杂浓度的增大而逐渐增大.实验结果表明,随着In的掺杂,Li_(1.05)(Zn_(0.925),Mn_(0.075)),As中原有的p型载流子被部分抵消,导致总载流子浓度降低,反映了n型载流子对Li_(1.05)(Zn_(0.925),Mn_(0.075))As中铁磁序的压制作用,同时也验证了载流子对磁性半导体中铁磁序的重要影响.
谢玲凤;董金瓯;赵雪芹;杨巧林;宁凡龙;
浙江大学物理学院,浙江省量子技术与器件重点实验室,杭州310058浙江大学物理学院,浙江省量子技术与器件重点实验室,杭州310058 南京大学,人工微结构科学与技术协同创新中心,南京210093 浙江大学,硅及先进半导体材料全国重点实验室,杭州310058 赤峰高新技术产业开发区,科技创新中心,赤峰025250
物理学
磁性半导体居里温度铁磁序
《物理学报》 2024 (008)
P.317-322 / 6
国家重点研究发展计划(批准号:2022YFA1402701,2022YFA1403202);国家自然科学基金(批准号:12074333);浙江省重点研发计划(批准号:2021C01002)资助的课题.
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