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外加电场和B/N掺杂对锡烯带隙的影响

吕永杰 陈燕 叶方成 蔡李彬 戴子杰 任云鹏

物理学报2024,Vol.73Issue(8):P.90-96,7.
物理学报2024,Vol.73Issue(8):P.90-96,7.DOI:10.7498/aps.73.20231935

外加电场和B/N掺杂对锡烯带隙的影响

吕永杰 1陈燕 2叶方成 1蔡李彬 1戴子杰 1任云鹏1

作者信息

  • 1. 江苏大学机械工程学院,镇江212013
  • 2. 江苏大学材料科学与工程学院,镇江212013
  • 折叠

摘要

关键词

锡烯/拓扑绝缘体/垂直电场/掺杂

分类

数理科学

引用本文复制引用

吕永杰,陈燕,叶方成,蔡李彬,戴子杰,任云鹏..外加电场和B/N掺杂对锡烯带隙的影响[J].物理学报,2024,73(8):P.90-96,7.

基金项目

江苏省自然科学基金(批准号:BK20220519) (批准号:BK20220519)

江苏省高校自然科学研究项目(批准号:22KJB140002)资助的课题. (批准号:22KJB140002)

物理学报

OA北大核心CSTPCD

1000-3290

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