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MoSi_(2)N_(4)的本征点缺陷以及掺杂特性的第一性原理计算

徐思源 张召富 王俊 刘雪飞 郭宇铮

物理学报2024，Vol.73Issue(8)：P.296-304,9.
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物理学报2024，Vol.73Issue(8)：P.296-304,9.DOI:10.7498/aps.73.20231931

MoSi_(2)N_(4)的本征点缺陷以及掺杂特性的第一性原理计算

徐思源 1张召富 2王俊 1刘雪飞 3郭宇铮1

作者信息

  • 1. 武汉大学电气与自动化学院,武汉430072
  • 2. 武汉大学工业研究院,武汉430072
  • 3. 贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳550025
  • 折叠

摘要

关键词

密度泛函理论/本征缺陷/带电缺陷校正/二维材料

分类

数理科学

引用本文复制引用

徐思源,张召富,王俊,刘雪飞,郭宇铮..MoSi_(2)N_(4)的本征点缺陷以及掺杂特性的第一性原理计算[J].物理学报,2024,73(8):P.296-304,9.

基金项目

湖北省自然科学基金面上(青年)项目(批准号:2021CFB085) （青年）

贵州省高等学校功能材料与器件创新团队(批准号:黔教技[2023]058)资助的课题. （批准号:黔教技[2023]058）

物理学报

OA北大核心CSTPCD

1000-3290

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