氢终端金刚石薄膜生长及其表面结构OA北大核心CSTPCD
氢终端金刚石的导电性问题是目前限制其在器件领域应用的关键因素.传统的氢终端金刚石制备工艺由于金刚石中含有杂质元素以及表面的加工损伤的存在,限制了氢终端金刚石的电特性.在金刚石衬底上直接外延一层高纯、表面平整的氢终端金刚石薄膜成为一种可行方案,但该方案仍存在薄膜质量表征困难,表面粗糙度较大等问题.本文采用微波等离子体化学气相沉积(CVD)技术,在含氮CVD金刚石衬底上外延一层亚微米级厚度金刚石薄膜,并研究分析了不同甲烷浓度对金刚石薄膜生长以及导电性…查看全部>>
马孟宇;蔚翠;何泽召;郭建超;刘庆彬;冯志红
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 河北半导体研究所,固态微波器件与电路全国重点实验室,石家庄050051中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 河北半导体研究所,固态微波器件与电路全国重点实验室,石家庄050051中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 河北半导体研究所,固态微波器件与电路全国重点实验室,石家庄050051中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 河北半导体研究所,固态微波器件与电路全国重点实验室,石家庄050051中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 河北半导体研究所,固态微波器件与电路全国重点实验室,石家庄050051中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 河北半导体研究所,固态微波器件与电路全国重点实验室,石家庄050051
氢终端金刚石甲烷浓度生长模式电性能
《物理学报》 2024 (8)
P.323-328,6
国家重点研发计划(批准号:2022YFB3608603)资助的课题.
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