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SiC改性提升聚酰亚胺薄膜直流耐电晕性能的机理

王健 熊沛琪 侯程志 张淑敏 刘继奎 李庆民

高电压技术2024，Vol.50Issue(4)：P.1655-1663,9.
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高电压技术2024，Vol.50Issue(4)：P.1655-1663,9.DOI:10.13336/j.1003-6520.hve.20230592

SiC改性提升聚酰亚胺薄膜直流耐电晕性能的机理

王健 1熊沛琪 1侯程志 1张淑敏 2刘继奎 2李庆民1

作者信息

  • 1. 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室,北京102206
  • 2. 北京控制工程研究所,北京100089
  • 折叠

摘要

关键词

聚酰亚胺薄膜/耐电晕/碳化硅/电荷/电晕损伤/力学特性

分类

化学化工

引用本文复制引用

王健,熊沛琪,侯程志,张淑敏,刘继奎,李庆民..SiC改性提升聚酰亚胺薄膜直流耐电晕性能的机理[J].高电压技术,2024,50(4):P.1655-1663,9.

基金项目

国家自然科学基金(52177140,92266109)。 （52177140,92266109）

高电压技术

OA北大核心CSTPCD

1003-6520

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