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高压大功率SiC MOSFETs短路保护方法

汪涛 黄樟坚 虞晓阳 张茂强 骆仁松 李响

高电压技术2024,Vol.50Issue(4):P.1583-1595,13.
高电压技术2024,Vol.50Issue(4):P.1583-1595,13.DOI:10.13336/j.1003-6520.hve.20231669

高压大功率SiC MOSFETs短路保护方法

汪涛 1黄樟坚 1虞晓阳 1张茂强 1骆仁松 1李响1

作者信息

  • 1. 南京南瑞继保电气有限公司,南京211102
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摘要

关键词

SiC MOSFETs/高压大功率/短路保护/器件特性/漏源极电压/栅极电荷

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

汪涛,黄樟坚,虞晓阳,张茂强,骆仁松,李响..高压大功率SiC MOSFETs短路保护方法[J].高电压技术,2024,50(4):P.1583-1595,13.

基金项目

南瑞集团有限公司科技项目(JS2101854)。 (JS2101854)

高电压技术

OA北大核心CSTPCD

1003-6520

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