具有低噪声及高线性度的高性能MOCVD-SiNx/AlN/GaN毫米波MIS-HEMTsOA北大核心CSTPCD
High-performance MOCVD-SiNx/AlN/GaN MIS-HEMTs with low noise and high linearity for millimeter waves
文章在超薄势垒AlN/GaN异质结构上采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)原位生长SiNx栅介质,成功制备了高性能的SiNx/AlN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs).深能级瞬态谱(DLTS)技术测试SiNx/AlN的界面信息,显示其缺陷能级深度为0.236 eV,俘获截面为3.06×10-19 cm-2,提取的界面态密度为1010～1012 cm-2eV-1,表明MOCVD原位生长的SiNx可以有效降低界面态…查看全部>>
In this paper,we demonstrated SiNx/AlN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors(MIS-HEMTs)with low noise and high linearity,by in-situ growth of SiNx gate dielectrics on ultra-thin barrier AlN/GaN heterostructure.Deep-level transient spectroscopy(DLTS)shows a traps-level depth of 0.236 eV,a capture cross-section of 3.06×10-19 cm-2,and an extracted interface state density of 1010-1012 cm-2eV-1,which confirms that the grown SiNx can…查看全部>>
袁静;陈晓娟;景冠军;王建超;汪柳;高润华;张一川;姚毅旭;魏珂;李艳奎
中国科学院微电子研究所 高频高压器件与集成研发中心,北京 100029||中国科学院大学,北京 100029中国科学院微电子研究所 高频高压器件与集成研发中心,北京 100029中国科学院微电子研究所 高频高压器件与集成研发中心,北京 100029||中国科学院大学,北京 100029中国科学院微电子研究所 高频高压器件与集成研发中心,北京 100029||中国科学院大学,北京 100029中国科学院微电子研究所 高频高压器件与集成研发中心,北京 100029||中国科学院大学,北京 100029中国科学院微电子研究所 高频高压器件与集成研发中心,北京 100029中国科学院微电子研究所 高频高压器件与集成研发中心,北京 100029中国科学院微电子研究所 高频高压器件与集成研发中心,北京 100029||中国科学院大学,北京 100029中国科学院微电子研究所 高频高压器件与集成研发中心,北京 100029中国科学院微电子研究所 高频高压器件与集成研发中心,北京 100029
物理学
SiNx栅介质MOCVDMIS-HEMTs界面态低噪声线性度毫米波
SiNx gate dielectricsMOCVDMIS-HEMTsinterface statelow noiselinearitymillimeter waves
《红外与毫米波学报》 2024 (2)
200-206,7
Supported by the National Natural Science Foundation of China(62304252)the Youth Innovation Promotion Association of Chinese Academy Sciences(CAS)and IMECAS-HKUST-Joint Laboratory of Microelectronics
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