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异质集成氧化镓:下一代高性能功率半导体器件的新基石

罗拯东 韩根全 王轶博 欧欣

科技纵览Issue(3):72-74,3.
科技纵览Issue(3):72-74,3.

异质集成氧化镓:下一代高性能功率半导体器件的新基石

罗拯东 1韩根全 2王轶博 3欧欣4

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学杭州研究院
  • 2. 西安电子科技大学杭州研究院后摩尔器件与芯片实验室
  • 3. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 4. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 折叠

摘要

引用本文复制引用

罗拯东,韩根全,王轶博,欧欣..异质集成氧化镓:下一代高性能功率半导体器件的新基石[J].科技纵览,2024,(3):72-74,3.

基金项目

感谢国家自然科学基金重大项目(项目编号:62293522)的支持. (项目编号:62293522)

科技纵览

2095-4409

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