区熔n型碲化铋材料的制备及性能优化OA北大核心CSTPCD
Synthesis and Performance Enhancement of Zone-melting N-type Bismuth Telluride Thermoelectric Materials
本研究通过区熔法制备了一系列碘化物(SbI3,BiI3,TeI4)掺杂的n型Bi2Te3-xSex 材料,发现碘化物掺杂能够有效稳定载流子类型,显著提高材料电导率,降低晶格热导率.当SbI3、BiI3、TeI4 掺杂量分别为0.14 wt%、0.12 wt%和0.07 wt%时,材料在405、350和362 K时获得最大ZT值0.85、1.05和0.96,比商用n型材料分别提高了21%,36%和28%.
A series of iodide doped(SbI3,BiI3,TeI4)n-type Bi2Te3-xSex materials was prepared using zone melting methods.It was discovered that iodide doping could stabilize the carrier type,enhance electrical conductivity,and decrease the lattice thermal conductivity.With 0.14 wt%SbI3 doping,0.12 wt%BiI3 doping,and 0.07 wt%TeI4 doping,the maximum ZT values reach 0.85 at 405 K,0.96 at 362 K and 1.05 at 350 K,which are 21%,36%,28%higher than commercial n-type materials,respectively.
田源;汪波;李存成;余健;桑夏晗;赵文俞
武汉理工大学 材料科学与工程学院, 湖北 武汉 430070山东理工大学 材料科学与工程学院, 山东 淄博 255000九江学院 材料科学与工程学院, 江西 九江 332005
n型碲化铋区熔法碘化物掺杂热电性能
n-type bismuth tellurideZone meltingIodide dopingThermoelectric properties
《材料科学与工程学报》 2024 (002)
186-192,212 / 8
国家重点研发计划资助项目(2018YFB0703603,2019YFA0704903)、国家自然科学基金资助项目(11834012,52130203,51902237)
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