TOPCon太阳电池单面沉积Poly-Si的工艺研究OA北大核心CSTPCD
目前隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池制造技术越来越成熟,所耗成本不断降低。行业内普遍采用低压化学气相沉积(LPCVD)方式进行双面沉积或单面沉积。单面沉积存在Poly-Si绕镀问题,严重影响电池片转化效率和外观质量,同时正面绕镀层去除难度较大,在用碱溶液去除绕镀层的同时,存在绕镀层去除不彻底或者非绕镀区域P^(+)层被腐蚀的风险,导致P^(+)发射极受损,严重影响电池片外观质量与性能。双面沉积可避免上述问题,但产能减少一半,制造成本增加。本…查看全部>>
代同光;谭新;宋志成;郭永刚;袁雅静;倪玉凤;汪梁
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动力与电气工程
TOPCon太阳电池Poly-Si绕镀层低压化学气相沉积BSGPSG腐蚀速率
《人工晶体学报》 2024 (5)
P.818-823,6
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