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重掺杂P型SiC的熔融KOH刻蚀行为研究

程佳辉 杨磊 王劲楠 龚春生 张泽盛 简基康

人工晶体学报2024,Vol.53Issue(5):P.773-780,791,9.
人工晶体学报2024,Vol.53Issue(5):P.773-780,791,9.

重掺杂P型SiC的熔融KOH刻蚀行为研究

程佳辉 1杨磊 1王劲楠 2龚春生 2张泽盛 2简基康1

作者信息

  • 1. 广东工业大学物理与光电工程学院,广州510006
  • 2. 北京晶格领域半导体有限公司,北京101300
  • 折叠

摘要

关键词

P型碳化硅/腐蚀/位错/重掺杂/腐蚀速率/活化能

分类

数理科学

引用本文复制引用

程佳辉,杨磊,王劲楠,龚春生,张泽盛,简基康..重掺杂P型SiC的熔融KOH刻蚀行为研究[J].人工晶体学报,2024,53(5):P.773-780,791,9.

基金项目

广东省自然科学基金面上项目(2022A1515012628) (2022A1515012628)

北京市科技计划项目(Z231100006023015)。 (Z231100006023015)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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