AlN/β-Ga_(2)O_(3)HEMT直流特性仿真OA北大核心CSTPCD
本文利用器件仿真软件对AlN/β-Ga_(2)O_(3)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件的直流特性进行研究。由于AlN具有很强的极化效应,在AlN/β-Ga_(2)O_(3)异质结界面处产生高浓度二维电子气(2DEG),使AlN/β-Ga_(2)O_(3)异质结基HEMT具有更加优越的器件性能。理论计算得到AlN/β-Ga_(2)O_(3)异质结界面处产生的面电荷密度为2.75×10^(13) cm^(-2)。通过分析器件的能带结构、沟道电子浓…查看全部>>
贺小敏;唐佩正;张宏伟;张昭;胡继超;李群;蒲红斌
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电子信息工程
β-Ga_(2)O_(3)AlNHEMT阈值电压跨导饱和漏电流
《人工晶体学报》 2024 (5)
P.766-772,7
国家自然科学基金青年科学基金(62104190,61904146)西安市科技局项目(2023JH-GXRC-0122)。
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