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AlN/β-Ga_(2)O_(3)HEMT直流特性仿真

贺小敏 唐佩正 张宏伟 张昭 胡继超 李群 蒲红斌

人工晶体学报2024,Vol.53Issue(5):P.766-772,7.
人工晶体学报2024,Vol.53Issue(5):P.766-772,7.

AlN/β-Ga_(2)O_(3)HEMT直流特性仿真

贺小敏 1唐佩正 1张宏伟 1张昭 1胡继超 1李群 1蒲红斌1

作者信息

  • 1. 西安理工大学自动化与信息工程学院,西安710048
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摘要

关键词

β-Ga_(2)O_(3)/AlN/HEMT/阈值电压/跨导/饱和漏电流

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

贺小敏,唐佩正,张宏伟,张昭,胡继超,李群,蒲红斌..AlN/β-Ga_(2)O_(3)HEMT直流特性仿真[J].人工晶体学报,2024,53(5):P.766-772,7.

基金项目

国家自然科学基金青年科学基金(62104190,61904146) (62104190,61904146)

西安市科技局项目(2023JH-GXRC-0122)。 (2023JH-GXRC-0122)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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