人工晶体学报2024，Vol.53Issue(5)：P.741-759,19.
顶部籽晶溶液法生长碳化硅单晶及其关键问题研究进展
顾鹏 1雷沛 1叶帅 1胡晋 1吴戈1
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摘要
关键词
第三代半导体/碳化硅单晶/顶部籽晶溶液法/晶体形貌/台阶聚集/溶剂包裹/人工智能分类
数理科学引用本文复制引用
顾鹏,雷沛,叶帅,胡晋,吴戈..顶部籽晶溶液法生长碳化硅单晶及其关键问题研究进展[J].人工晶体学报,2024,53(5):P.741-759,19.
