|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|发光学报|界面特性对InAs/GaSb Ⅱ型超晶格光学性质影响理论研究

界面特性对InAs/GaSb Ⅱ型超晶格光学性质影响理论研究

马泽军 李远 朱申波 程凤敏 刘俊岐 王利军 翟慎强 卓宁 陈涌海 张锦川 刘舒曼 刘峰奇

发光学报2024，Vol.45Issue(5)：P.817-823,7.
✕
发光学报2024，Vol.45Issue(5)：P.817-823,7.DOI:10.37188/CJL.20240054

界面特性对InAs/GaSb Ⅱ型超晶格光学性质影响理论研究

马泽军 1李远 1朱申波 1程凤敏 1刘俊岐 1王利军 1翟慎强 1卓宁 1陈涌海 1张锦川 1刘舒曼 1刘峰奇1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所固态光电信息技术实验室,北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049
  • 折叠

摘要

关键词

锑化物/超晶格/界面态/前后向差分法

分类

数理科学

引用本文复制引用

马泽军,李远,朱申波,程凤敏,刘俊岐,王利军,翟慎强,卓宁,陈涌海,张锦川,刘舒曼,刘峰奇..界面特性对InAs/GaSb Ⅱ型超晶格光学性质影响理论研究[J].发光学报,2024,45(5):P.817-823,7.

基金项目

国家自然科学基金(12393832,62327813,62235019,62235016,61991431)。 （12393832,62327813,62235019,62235016,61991431）

发光学报

OA北大核心CSTPCD

1000-7032

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文