浓度依赖的掺铕硅酸钇晶体的光学和自旋非均匀展宽OA北大核心CSTPCD
可移动量子存储器是实现长距离量子通信的一种可行方案,该方案需要量子存储介质拥有小时量级的存储寿命.同位素提纯^(151)Eu^(3+):Y_(2)SiO_(5)晶体是实现这一应用的重要候选材料,但其较宽的非均匀展宽对其光存储效率和自旋存储寿命都构成了显著限制.本文自主生长了不同掺杂浓度的同位素提纯^(151)Eu^(3+):Y_(2)SiO_(5)晶体,讨论了影响非均匀展宽的机制和未来进一步控制非均匀展宽的方法,为超长寿命可移动量子存储器的实现奠定了基础.
梁澎军;朱天翔;肖懿鑫;王奕洋;韩永建;周宗权;李传锋;
中国科学技术大学,中国科学院量子信息重点实验室,合肥230026中国科学技术大学,中国科学院量子信息重点实验室,合肥230026 合肥国家实验室,合肥230088
计算机与自动化
稀土掺杂晶体量子存储光学非均匀展宽自旋非均匀展宽
《物理学报》 2024 (010)
P.30-36 / 7
国家重点研发计划(批准号:2017YFA0304100);科技创新2030——“量子通信与量子计算机”重大项目(批准号:2021ZD0301200);国家自然科学基金(批准号:12222411,11821404)资助的课题。
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