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CCD/EMCCD光电参数测试系统的设计与应用

沈吉 VIACHESLAV V.Zabudsky 常维静 那启跃 简云飞 OLEG V.Rikhalsky OLEKSANDR G.Golenkov VOLODYMYR P.Reva

中国光学(中英文)2024,Vol.17Issue(3):693-703,11.
中国光学(中英文)2024,Vol.17Issue(3):693-703,11.DOI:10.37188/CO.EN-2023-0016

CCD/EMCCD光电参数测试系统的设计与应用

Design and application of CCD/EMCCD photoelectronic parameter test system

沈吉 1VIACHESLAV V.Zabudsky 2常维静 1那启跃 1简云飞 1OLEG V.Rikhalsky 3OLEKSANDR G.Golenkov 2VOLODYMYR P.Reva2

作者信息

  • 1. 华东光电集成器件研究所,江苏苏州 215263
  • 2. 乌克兰科学院V.E.Lashkaryov半导体物理研究所,乌克兰基辅 01001
  • 3. 乌克兰科学院Bogomoletz生理学研究所,乌克兰基辅 01001
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摘要

Abstract

A photoelectrical parameters test system for testing CCD and electron-multiplying charge-coupled device(EMCCD)chips is designed.The test system has automatic and manual modes,and it can test the dark currents,the output amplifier's responsivity,charge transfer efficiency,charge capacity and other parameters.According to different specifications and structures of CCD/EMCCD devices,we complete the parameter test of wafer or packaged product.The developed system can be used for the testing and sorting for 576×288,640×512,768×576,1024×1024,1280×1024 CCD and EMCCD chips.

关键词

CCD/EMCCD/测试系统/光电参数

Key words

CCD/EMCCD/test system/photoelectrical parameters

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

沈吉,VIACHESLAV V.Zabudsky,常维静,那启跃,简云飞,OLEG V.Rikhalsky,OLEKSANDR G.Golenkov,VOLODYMYR P.Reva..CCD/EMCCD光电参数测试系统的设计与应用[J].中国光学(中英文),2024,17(3):693-703,11.

基金项目

科技创新2030-"新一代人工智能"重大项目(No.2018AAA0103100)Supported by National Science and Technology Major Project from Minster of Science and Technology,China(No.2018AAA0103100) (No.2018AAA0103100)

中国光学(中英文)

OA北大核心CSTPCD

2095-1531

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