南方电网技术2024，Vol.18Issue(4)：P.19-29,11.DOI:10.13648/j.cnki.issn1674-0629.2024.04.003
寄生参数对基于常通型SiC JFET器件的中压直流固态断路器过电压的影响及抑制方法
摘要
关键词
固态断路器/碳化硅结型场效应晶体管/串联结构/寄生参数/过电压分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
何东,李俊桦,兰征,王伟,曾进辉..寄生参数对基于常通型SiC JFET器件的中压直流固态断路器过电压的影响及抑制方法[J].南方电网技术,2024,18(4):P.19-29,11.基金项目
湖南省自然科学基金资助项目(2021JJ40172) （2021JJ40172）
湖南省教育厅资助科研项目(20C0637)。 （20C0637）
