Al_(2)O_(3)含量对PTFE/SiO_(2)复合薄膜性能的影响OA北大核心CSTPCD

多层电路板存在散热性能较差的问题,限制其在高频电路中的应用。实验以Al_(2)O_(3)为填料,制备了聚四氟乙烯(PTFE)/SiO_(2)高导热复合薄膜材料,用于增强多层电路板的导热性能。将不同添加量的Al_(2)O_(3)加入PTFE中,采用浸渍工艺结合高温烧结制备PTFE/SiO_(2)复合薄膜,研究Al_(2)O_(3)含量对PTFE/SiO_(2)复合薄膜的微观形貌、密度、导热性能、力学性能的影响。结果表明:随着Al_(2)O_(3)含量的提高,复合薄膜的导热系数呈现上升趋势,密度和力学强度均呈现先升高后下降的趋势。当Al_(2)O_(3)含量为4%时,PTFE/SiO_(2)复合薄膜(样品3)的微观缺陷最少,具有最高的密度和力学强度,同时具有较为合理的导热系数和电绝缘性。样品3的密度为2.119 g/cm^(3),力学强度为17.3 MPa,导热系数为0.98 W/(m·K),体积电阻率为380.9 GΩ·m。