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采用大芯片的高功率密度SiC功率模块设计

李东润 宁圃奇 康玉慧 范涛 雷光寅 史文华

电源学报2024，Vol.22Issue(3)：P.93-99,7.
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电源学报2024，Vol.22Issue(3)：P.93-99,7.DOI:10.13234/j.issn.2095-2805.2024.3.93

采用大芯片的高功率密度SiC功率模块设计

李东润 1宁圃奇 2康玉慧 3范涛 1雷光寅 4史文华5

作者信息

  • 1. 中国科学院电工研究所,北京100190 中国科学院大学,北京100049
  • 2. 中国科学院电工研究所,北京100190 中国科学院大学,北京100049 中国电源学会
  • 3. 中国科学院电工研究所,北京100190
  • 4. 复旦大学工程与应用技术研究院超越照明所,上海200433 复旦大学宁波研究院,宁波315327
  • 5. 复旦大学工程与应用技术研究院超越照明所,上海200433 清纯半导体(宁波)有限公司,宁波315226
  • 折叠

摘要

关键词

电动汽车/功率密度/碳化硅芯片/功率模块/封装

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李东润,宁圃奇,康玉慧,范涛,雷光寅,史文华..采用大芯片的高功率密度SiC功率模块设计[J].电源学报,2024,22(3):P.93-99,7.

基金项目

国家重点研发计划资助项目(2021YFB2500600) （2021YFB2500600）

中国科学院青年交叉团队资助项目(JCTD-2021-09)。 （JCTD-2021-09）

电源学报

OA北大核心

2095-2805

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