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采用大芯片的高功率密度SiC功率模块设计OA北大核心

中文摘要

碳化硅SiC(silicon carbide)器件具备耐高压、低损耗和高热导率等优势,对电动汽车行业发展具有重要意义。提出一种利用大芯片封装的SiC MOSFET功率模块设计,并开展实验分析模块的电气性能;搭建仿真对仅有电特性与电特性和温度负反馈结合这2种情况下模块温度进行对比研究。仿真结果表明,在相同工作条件下,采用大芯片封装设计的SiC MOSFET功率模块导通电流能力更强,温度变化更小,电气性能有所提升。

李东润;宁圃奇;康玉慧;范涛;雷光寅;史文华;

中国科学院电工研究所,北京100190 中国科学院大学,北京100049中国科学院电工研究所,北京100190 中国科学院大学,北京100049 中国电源学会中国科学院电工研究所,北京100190复旦大学工程与应用技术研究院超越照明所,上海200433 复旦大学宁波研究院,宁波315327复旦大学工程与应用技术研究院超越照明所,上海200433 清纯半导体(宁波)有限公司,宁波315226

动力与电气工程

电动汽车功率密度碳化硅芯片功率模块封装

《电源学报》 2024 (003)

P.93-99 / 7

国家重点研发计划资助项目(2021YFB2500600);中国科学院青年交叉团队资助项目(JCTD-2021-09)。

10.13234/j.issn.2095-2805.2024.3.93

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