氮化硼包覆碳化硅纤维表面CVD法生长碳纳米管研究OA北大核心CSTPCD
目的通过调节化学气相沉积(CVD)的工艺参数,实现碳纳米管(CNTs)在氮化硼(BN)包覆的碳化硅纤维(SiCf)表面的可控生长。方法通过控制单一变量,采用扫描电子显微镜、热重分析、X射线光电子能谱等表征手段,系统地研究了CVD工艺参数和BN表面改性对CNTs形貌、长度、含量的影响。结果通过改变CVD工艺参数,实现了对CNTs形貌、长度、含量的调节与控制,获得了CNTs和BN协同改性的SiC纤维(SiC@BN-CNTs)。其中,SiC@BN-OH…查看全部>>
闫兵;岳建岭;邹杨君;楼嘉伟;杜作娟;刘愚;黄小忠
中南大学粉末冶金研究院,长沙410083中南大学粉末冶金研究院,长沙410083中南大学粉末冶金研究院,长沙410083哈尔滨理工大学电气与电子工程学院,哈尔滨150006中南大学粉末冶金研究院,长沙410083中南大学粉末冶金研究院,长沙410083中南大学粉末冶金研究院,长沙410083
六方氮化硼碳纳米管化学气相沉积工艺参数氮化硼羟基化
《表面技术》 2024 (12)
P.218-229,239,13
国家自然科学基金青年基金(52002403)。
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