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3D NAND闪存中TiN与氧化表面F吸附作用的第一性原理研究

方语萱 杨益 夏志良 霍宗亮

物理学报2024，Vol.73Issue(12)：P.385-392,8.
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物理学报2024，Vol.73Issue(12)：P.385-392,8.DOI:10.7498/aps.73.20240254

3D NAND闪存中TiN与氧化表面F吸附作用的第一性原理研究

方语萱 1杨益 2夏志良 2霍宗亮3

作者信息

  • 1. 中国科学院微电子研究所,北京100029 中国科学院大学,北京101408
  • 2. 长江存储科技有限责任公司,武汉430071
  • 3. 长江存储科技有限责任公司,武汉430071 长江先进存储产业创新中心有限责任公司,武汉430014
  • 折叠

摘要

关键词

3D NAND闪存/氟攻击问题/第一性原理

分类

数理科学

引用本文复制引用

方语萱,杨益,夏志良,霍宗亮..3D NAND闪存中TiN与氧化表面F吸附作用的第一性原理研究[J].物理学报,2024,73(12):P.385-392,8.

基金项目

国家重点研发计划(批准号:2023YFB4402500)资助的课题。 （批准号:2023YFB4402500）

物理学报

OA北大核心CSTPCD

1000-3290

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