|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|物理学报|超晶格电子阻挡层周期数对AlGaN基深紫外发光二极管性能的影响

超晶格电子阻挡层周期数对AlGaN基深紫外发光二极管性能的影响

刘举 曹一伟 吕全江 杨天鹏 米亭亭 王小文 刘军林

物理学报2024，Vol.73Issue(12)：P.393-401,9.
✕
物理学报2024，Vol.73Issue(12)：P.393-401,9.DOI:10.7498/aps.73.20231969

超晶格电子阻挡层周期数对AlGaN基深紫外发光二极管性能的影响

刘举 1曹一伟 1吕全江 1杨天鹏 2米亭亭 3王小文 3刘军林1

作者信息

  • 1. 江苏大学材料科学与工程学院,镇江212013
  • 2. 圆融光电科技股份有限公司,马鞍山243000 马鞍山杰生半导体有限公司,马鞍山243000
  • 3. 马鞍山杰生半导体有限公司,马鞍山243000
  • 折叠

摘要

关键词

深紫外发光二极管/电子阻挡层/可靠性/外量子效率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘举,曹一伟,吕全江,杨天鹏,米亭亭,王小文,刘军林..超晶格电子阻挡层周期数对AlGaN基深紫外发光二极管性能的影响[J].物理学报,2024,73(12):P.393-401,9.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:62374076,62104085) （批准号:62374076,62104085）

江苏省双创团队项目(批准号:JSSCTD202146)资助的课题。 （批准号:JSSCTD202146）

物理学报

OA北大核心CSTPCD

1000-3290

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文