SnO2(110)/FAPbBrI2(001)界面电子结构与光学性质的第一性原理研究OA北大核心CSTPCD
First-Principles Study on Electronic Structure and Optical Properties of SnO2(110)/FAPbBrI2(001)Interface
通过基于密度泛函理论的第一性原理对SnO2(110)/FAPbBrI2(001)界面的电子结构及光学性质进行了研究.FAPbBrI2是带隙值为1.58 eV的直接带隙半导体材料,通过构建SnO2(110)和FAPbBrI2(001)的界面模型,发现其晶格失配率为4.28％,界面结合能为-0.116 eV/Å2,说明此界面结构可以稳定存在.通过态密度(DOS)分析SnO2(110)/FAPbBrI2(001)界面的电子结构,发现了主要由界面处O 2…查看全部>>
The electronic structure and optical properties of SnO2(110)/FAPbBrI2(001)interface were studied using first-principles based on density functional theory(DFT).FAPbBrI2 is a direct bandgap semiconductor material with a bandgap value of 1.58 eV.By constructing a model of the interface between SnO2(110)and FAPbBrI2(001),the lattice mismatch is found to be 4.28％,and the interface binding energy is-0.116 eV/A2,indicating the stability of this interface structure…查看全部>>
李丽华;周龙杰;刘硕;王航;黄金亮
河南科技大学材料科学与工程学院,洛阳 471023河南科技大学材料科学与工程学院,洛阳 471023河南科技大学材料科学与工程学院,洛阳 471023河南科技大学材料科学与工程学院,洛阳 471023河南科技大学材料科学与工程学院,洛阳 471023
物理学
第一性原理钙钛矿材料SnO2(110)/FAPbBrI2(001)界面电子结构光学性质界面态
first-principleperovskite materialSnO2(110)/FAPbBrI2(001)interfaceelectronic structureoptical propertyinterface state
《人工晶体学报》 2024 (7)
1239-1248,10
高端外国专家项目(GDW2017410125)
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