基于分子动力学的氮化镓/石墨烯/金刚石界面热导研究OA北大核心CSTPCD
Interfacial thermal conductance of gallium nitride/graphene/diamond heterostructure based on molecular dynamics simulation
为解决氮化镓芯片散热问题,采用非平衡分子动力学法,研究工作温度、界面尺寸、缺陷率及缺陷类型对氮化镓/石墨烯/金刚石异质界面热导的影响,通过计算声子态密度和声子参与率,分析界面热传导机理.研究发现,在 100-500 K范围内,温度升高使界面热导增大 2.1倍,重叠因子随温度增加而增加,界面间声子耦合程度增强,界面热导相应增大.当氮化镓层数从 10层增加到 26层时,界面热导降低 75%,分析认为是界面声子耦合程度下降导致.另外,添加 5层石墨烯会…查看全部>>
Gallium nitride chips are widely used in high-frequency and high-power devices.However,thermal management is a serious challenge for gallium nitride devices.To improve thermal dissipation of gallium nitride devices,the nonequilibrium molecular dynamics method is employed to investigate the effects of operating temperature,interface size,defect density and defect types on the interfacial thermal conductance of gallium nitride/graphene/diamond heterostructure.…查看全部>>
刘东静;胡志亮;周福;王鹏博;王振东;李涛
广西制造系统与先进制造技术重点实验室,桂林电子科技大学机电工程学院,桂林 541004||桂林研创半导体科技有限责任公司,桂林 541004广西制造系统与先进制造技术重点实验室,桂林电子科技大学机电工程学院,桂林 541004广西制造系统与先进制造技术重点实验室,桂林电子科技大学机电工程学院,桂林 541004广西制造系统与先进制造技术重点实验室,桂林电子科技大学机电工程学院,桂林 541004广西制造系统与先进制造技术重点实验室,桂林电子科技大学机电工程学院,桂林 541004广西制造系统与先进制造技术重点实验室,桂林电子科技大学机电工程学院,桂林 541004
界面热导温度效应尺寸效应空位缺陷
interface thermal conductancetemperature effectsize effectvacancy defect
《物理学报》 2024 (15)
9-18,10
广西制造系统与先进制造技术重点实验室主任基金(批准号:19-050-44-002Z)、2024 年度广西高校中青年教师科研基础能力提升项目(批准号:2024KY0203)、桂林电子科技大学研究生教育创新计划(批准号:2024YCXS016)和 2023年广西自治区级新工科研究与实践项目(批准号:XGK202309)资助的课题.Project supported by the Guangxi Key Laboratory of Manufacturing System&Advanced Manufacturing Technology,China(Grant No.19-050-44-002Z),the 2024 Project on Enhancement of Basic Research Ability for Young and Middle-aged Teachers in Guangxi Universities,China(Grant No.2024KY0203),the Innovation Project of Graduate Education of Guilin University of Electronic Science and Technology,China(Grant No.2024YCXS016),and the 2023 Guangxi Autonomous Region New Engineering Research and Practice Project,China(Grant No.XGK202309).
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