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脉冲磁场幅值对制备聚硅氧烷复合材料的电磁屏蔽性能影响规律

米彦 刘灿辉 朱亚奎 陈勇 李政民

高电压技术2024,Vol.50Issue(7):P.3249-3257,9.
高电压技术2024,Vol.50Issue(7):P.3249-3257,9.DOI:10.13336/j.1003-6520.hve.20231926

脉冲磁场幅值对制备聚硅氧烷复合材料的电磁屏蔽性能影响规律

米彦 1刘灿辉 1朱亚奎 1陈勇 1李政民1

作者信息

  • 1. 输变电装备技术全国重点实验室(重庆大学电气工程学院),重庆400044
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摘要

关键词

微秒脉冲磁场/取向/聚硅氧烷/羰基铁/电磁屏蔽

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

米彦,刘灿辉,朱亚奎,陈勇,李政民..脉冲磁场幅值对制备聚硅氧烷复合材料的电磁屏蔽性能影响规律[J].高电压技术,2024,50(7):P.3249-3257,9.

高电压技术

OA北大核心CSTPCD

1003-6520

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