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CrCl_(3)隧穿磁阻的界面效应与多场效应调控

樊译颉 张阮 陈宇 蔡星汉

物理学报2024，Vol.73Issue(13)：P.277-285,9.
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物理学报2024，Vol.73Issue(13)：P.277-285,9.DOI:10.7498/aps.73.20240431

CrCl_(3)隧穿磁阻的界面效应与多场效应调控

樊译颉 1张阮 1陈宇 1蔡星汉2

作者信息

  • 1. 上海交通大学,微米纳米加工技术全国重点实验室,上海200240 上海交通大学电子信息与电气工程学院,微纳电子学系,上海200240
  • 2. 上海交通大学,微米纳米加工技术全国重点实验室,上海200240
  • 折叠

摘要

关键词

磁隧道结/CrCl_(3)/负隧穿磁阻/栅极可调性

分类

数理科学

引用本文复制引用

樊译颉,张阮,陈宇,蔡星汉..CrCl_(3)隧穿磁阻的界面效应与多场效应调控[J].物理学报,2024,73(13):P.277-285,9.

基金项目

国家重点研发计划(批准号:2020YFA0309200) （批准号:2020YFA0309200）

上海交通大学基础研究特区计划(批准号:21TQ1400206) （批准号:21TQ1400206）

国家自然科学基金(批准号:92064013,11904226)资助的课题. （批准号:92064013,11904226）

物理学报

OA北大核心CSTPCD

1000-3290

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