CrCl_(3)隧穿磁阻的界面效应与多场效应调控OA北大核心CSTPCD
磁隧道结是研究磁性材料自旋结构、输运特性、磁相变和磁各向异性的重要实验平台.本研究基于干法转移技术制备了以机械剥离的少层范德瓦耳斯反铁磁绝缘体三氯化铬(CrCl_(3))为势垒层、少层石墨烯为电极的磁隧道结原型器件结构,并进行了低温电磁输运测量,除观测到自旋过滤效应引起的隧穿磁阻外,还发现多种由非传统效应引起的磁阻变化.基于对隧道结自旋结构和能带结构的分析,本文将之归因于由磁近邻效应引起的隧穿机制改变,以及石墨烯电极态密度在高磁场下出现的量子振荡行为.本文报道了在二维磁隧道结中与隧穿磁阻相关且此前未被广泛关注的物理现象,加深了对此类二维异质结构中载流子输运特性的理解,为二维磁性材料的物理性质研究及其自旋电子学应用拓展了新的途径.
樊译颉;张阮;陈宇;蔡星汉;
上海交通大学,微米纳米加工技术全国重点实验室,上海200240 上海交通大学电子信息与电气工程学院,微纳电子学系,上海200240上海交通大学,微米纳米加工技术全国重点实验室,上海200240
物理学
磁隧道结CrCl_(3)负隧穿磁阻栅极可调性
《物理学报》 2024 (013)
P.277-285 / 9
国家重点研发计划(批准号:2020YFA0309200);上海交通大学基础研究特区计划(批准号:21TQ1400206);国家自然科学基金(批准号:92064013,11904226)资助的课题.
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