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Au(111)表面WS_(2)成核控制的理论研究OA北大核心CSTPCD

中文摘要

二维二硫化钨(WS_(2))作为一种具有层依赖的电子和光电特性的半导体材料,在光电器件领域展现出极具潜力的应用前景.当前,晶圆级单层WS_(2)薄膜的制备是推动其在先进晶体管和集成电路中应用的关键挑战.化学气相沉积(CVD)能够实现大尺寸、高质量的单层WS_(2)薄膜合成,但其生长过程的复杂性导致了WS_(2)生长效率低,质量参差不齐.为指导实验上减少WS_(2)晶界,提高薄膜质量以增强其电子性能和机械稳定性,本文基于第一性原理的理论计算,深入探…查看全部>>

胡艺山;袁清红

华东师范大学,精密光谱科学与技术国家重点实验室,上海200241华东师范大学,精密光谱科学与技术国家重点实验室,上海200241

物理学

第一性原理计算生长机制化学气相沉积二维二硫化钨

《物理学报》 2024 (13)

P.111-120,10

国家重点研发计划(批准号:2021YFA1200801)国家自然科学基金(批准号:22173031)资助的课题。

10.7498/aps.73.20240417

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