电源技术2024，Vol.48Issue(7)：P.1375-1379,5.DOI:10.3969/j.issn.1002-087X.2024.07.029
InP衬底上制备GaInAsP/GaInAs双结太阳电池的研究
张恒 1刘如彬 1张启明 1孙强1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第十八研究所,天津300384
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摘要
关键词
InP/GaInAsP/GaInAs/太阳电池/MOCVD分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张恒,刘如彬,张启明,孙强..InP衬底上制备GaInAsP/GaInAs双结太阳电池的研究[J].电源技术,2024,48(7):P.1375-1379,5.
