基底温度对磁控溅射制备NiO_(x)薄膜综合电致变色性能的影响OA北大核心CSTPCD

为研究基底温度对NiO_(x)薄膜综合电致变色性能的影响,在基底温度分别为室温、50、100、200和300℃下,采用直流反应磁控溅射法制备了NiO_(x)薄膜,并对薄膜的形貌、循环稳定性、光学调制率、记忆效应、响应时间和附着力等性能进行测试表征和对比分析。研究结果表明,基底温度对NiO_(x)薄膜的电致变色性能影响较为复杂,基底温度为100℃时制备的薄膜综合性能最优,具有电荷容量密度衰减率低、记忆效应好、响应速度快、调制率高和与基底附着力较好等特点。本研究对NiO_(x)基电致变色器件的设计和制备具有一定的参考意义。