原子层沉积法制备鸡蛋清栅介质ZnO-TFT及其性能研究OACSTPCD
采用原子层沉积法(ALD),以天然鸡蛋清作为栅介质制备双电层氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT),并对其电性能进行测试与分析,研究了该器件在栅偏压应力条件下和空气环境下电学性能的稳定性。结果表明,氧化锌薄膜晶体管电特性表现良好,阈值电压为0.73 V,载流子饱和迁移率为9.95 cm^(2)/(V·s),开关电流比为1.8×10^(4),亚阈值摆幅为0.33 V/decade,工作电压可低至3.0 V。研究还发现,在正栅偏压应力作用下或在空气环境下…查看全部>>
王聪;黄荷;刘玉荣;彭强
汕尾职业技术学院工程学院,广东汕尾516600 华南理工大学微电子学院,广东广州510640华南理工大学微电子学院,广东广州510640华南理工大学微电子学院,广东广州510640汕尾职业技术学院工程学院,广东汕尾516600
电子信息工程
氧化锌薄膜晶体管偏压应力稳定性双电层原子层沉积
《电子器件》 2024 (3)
P.865-869,5
广东省普通高校重点领域专项(新一代信息技术)项目(2020ZDZX3125)国家自然科学基金项目(61871195)广东省基础与应用基础研究基金项目(2021A1515011872)。
评论