AlN/β-Ga_(2)O_(3)HEMT频率特性仿真研究OA北大核心CSTPCD
器件的频率特性影响较为复杂,本文利用Sentaurus TCAD研究了AlN势垒层厚度、栅长、栅漏间距和功函数对AlN/β-Ga_(2)O_(3)高电子迁移率晶体管(HEMT)频率特性的影响,得到以下结论:随着AlN势垒层厚度从10 nm增加到25 nm,截止频率(f_(T))和最高振荡频率(f_(max))分别增加了18和17 GHz,栅电容减小是f_(T)增加的主要原因,同时研究表明势垒层厚度减小有利于增强栅极对沟道电子的控制。栅长从0.9μ…查看全部>>
贺小敏;唐佩正;刘若琪;宋欣洋;胡继超;苏汉
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电子信息工程
β-Ga_(2)O_(3)AlNHEMT截止频率最高振荡频率
《人工晶体学报》 2024 (8)
P.1361-1368,8
国家自然科学青年基金(62104190,61904146)西安市科技局项目(2023JH-GXRC-0122)陕西省自然科学基础研究计划(2024JC-YBQN-0655)。
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