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AlN/β-Ga_(2)O_(3)HEMT频率特性仿真研究

贺小敏 唐佩正 刘若琪 宋欣洋 胡继超 苏汉

人工晶体学报2024,Vol.53Issue(8):P.1361-1368,8.
人工晶体学报2024,Vol.53Issue(8):P.1361-1368,8.

AlN/β-Ga_(2)O_(3)HEMT频率特性仿真研究

贺小敏 1唐佩正 1刘若琪 1宋欣洋 1胡继超 1苏汉1

作者信息

  • 1. 西安理工大学自动化与信息工程学院,西安710048
  • 折叠

摘要

关键词

β-Ga_(2)O_(3)/AlN/HEMT/截止频率/最高振荡频率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

贺小敏,唐佩正,刘若琪,宋欣洋,胡继超,苏汉..AlN/β-Ga_(2)O_(3)HEMT频率特性仿真研究[J].人工晶体学报,2024,53(8):P.1361-1368,8.

基金项目

国家自然科学青年基金(62104190,61904146) (62104190,61904146)

西安市科技局项目(2023JH-GXRC-0122) (2023JH-GXRC-0122)

陕西省自然科学基础研究计划(2024JC-YBQN-0655)。 (2024JC-YBQN-0655)

人工晶体学报

OA北大核心CSTPCD

1000-985X

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