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二维范德瓦耳斯异质结Cs_(3)X_(2)I_(9)/InSe(X=Bi,Sb)的光电性能

熊祥杰 钟防 张资文 陈芳 罗婧澜 赵宇清 朱慧平 蒋绍龙

物理学报2024，Vol.73Issue(13)：P.229-237,9.
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物理学报2024，Vol.73Issue(13)：P.229-237,9.DOI:10.7498/aps.73.20240434

二维范德瓦耳斯异质结Cs_(3)X_(2)I_(9)/InSe(X=Bi,Sb)的光电性能

熊祥杰 1钟防 1张资文 1陈芳 1罗婧澜 2赵宇清 1朱慧平 3蒋绍龙4

作者信息

  • 1. 湖南科技大学物理与电子科学学院,智能传感器与新型传感器材料湖南省重点实验室,湘潭411201
  • 2. 格拉斯哥大学亚当史密斯学院,格拉斯哥G128QQ
  • 3. 中国科学院微电子研究所,硅器件技术重点实验室,北京100029
  • 4. 粤港澳大湾区(广东)量子科学中心,深圳518045
  • 折叠

摘要

关键词

二维异质结/光电转换效率/第一性原理计算/应变工程

分类

数理科学

引用本文复制引用

熊祥杰,钟防,张资文,陈芳,罗婧澜,赵宇清,朱慧平,蒋绍龙..二维范德瓦耳斯异质结Cs_(3)X_(2)I_(9)/InSe(X=Bi,Sb)的光电性能[J].物理学报,2024,73(13):P.229-237,9.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:12204166) （批准号:12204166）

湖南省自然科学基金(批准号:2024JJ5132) （批准号:2024JJ5132）

国家重点研发项目(批准号:2023YFB3611700) （批准号:2023YFB3611700）

湖南科技大学科研启动基金(批准号:E51996)资助的课题。 （批准号:E51996）

物理学报

OA北大核心CSTPCD

1000-3290

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