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基于硅通孔的三维微系统互联结构总剂量效应损伤机制研究

王昊 陈睿 陈钱 韩建伟 于新 孟德超 杨驾鹏 薛玉雄 周泉丰 韩瑞龙

原子能科学技术2024，Vol.58Issue(8)：P.1789-1796,8.
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原子能科学技术2024，Vol.58Issue(8)：P.1789-1796,8.DOI:10.7538/yzk.2023.youxian.0771

基于硅通孔的三维微系统互联结构总剂量效应损伤机制研究

王昊 1陈睿 1陈钱 2韩建伟 1于新 3孟德超 4杨驾鹏 5薛玉雄 6周泉丰 4韩瑞龙1

作者信息

  • 1. 中国科学院国家空间科学中心,北京100190 中国科学院大学,北京100049
  • 2. 中国科学院国家空间科学中心,北京100190
  • 3. 中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011
  • 4. 中国工程物理研究院,四川绵阳621022
  • 5. 南京电子器件研究所,江苏南京210016
  • 6. 扬州大学,江苏扬州225127
  • 折叠

摘要

关键词

硅通孔/总剂量效应/寄生MOS电容/插入损耗/回波损耗

分类

能源科技

引用本文复制引用

王昊,陈睿,陈钱,韩建伟,于新,孟德超,杨驾鹏,薛玉雄,周泉丰,韩瑞龙..基于硅通孔的三维微系统互联结构总剂量效应损伤机制研究[J].原子能科学技术,2024,58(8):P.1789-1796,8.

基金项目

国家重点研发计划(2022YFF0503603)。 （2022YFF0503603）

原子能科学技术

OA北大核心CSTPCD

1000-6931

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