现代电子技术2024，Vol.47Issue(16)：P.7-12,6.DOI:10.16652/j.issn.1004-373x.2024.16.002
基于加速退化试验的脉宽调制器贮存寿命预测研究
游文超 1孙高宇 2彭珂菲 3黄姣英1
作者信息
- 1. 北京航空航天大学可靠性与系统工程学院,北京100191
- 2. 南京信息工程大学自动化学院,江苏南京210044
- 3. 中国农业大学工学院,北京100083
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摘要
关键词
加速退化试验/脉宽调制器/贮存寿命/Arrhenius模型/激活能/退化敏感参数分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
游文超,孙高宇,彭珂菲,黄姣英..基于加速退化试验的脉宽调制器贮存寿命预测研究[J].现代电子技术,2024,47(16):P.7-12,6.
