现代电子技术2024，Vol.47Issue(16)：P.33-38,6.DOI:10.16652/j.issn.1004-373x.2024.16.006
高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片的设计
摘要
关键词
基准电压缓冲芯片/CMOS电压缓冲运算放大器/ESD防护电路/芯片版图/高增益/高驱动能力分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王敏聪,刘成..高增益高驱动能力的基准电压缓冲芯片的设计[J].现代电子技术,2024,47(16):P.33-38,6.基金项目
国家重点研发计划项目(2021YFB3200600) （2021YFB3200600）
国家重点研发计划项目(2021YFB3200602)。 （2021YFB3200602）
