纳秒级方波脉冲对稳压二极管损伤特性的研究OA
Damage Characteristics of Nanosecond Square Wave Pulses on Regulator Diodes
针对强电磁脉冲产生的瞬态过电压会对二极管半导体造成损伤的问题,基于二极管击穿理论,采用理论与实验相结合的方法,使用纳秒级高压方波脉冲源作为电压脉冲源,选用BZX55C系列不同型号的稳压二极管进行了不同脉宽下的方波脉冲注入实验.实验结果表明:稳压二极管的损伤能量随稳压二极管的稳压值增大而增大,损伤形式表现为稳压值下降,漏电流增大,伏安特性曲线畸变;不同稳压值的二极管对方波脉冲的敏感端不同,当稳压值小于12 V时,负极比较敏感,当稳压值大于12 V时…查看全部>>
Aiming at the problem that the transient overvoltage generated by strong electromagnetic pulse will cause damage to the diode semiconductor,based on the diode breakdown theory,the method of com-bining theory and experiment is adopted,and the nanosecond high-voltage square wave pulse source is used as the voltage pulse source,and the BZX55C series of different types of regulated diodes is selected for square wave pulse injection experiments with different pul…查看全部>>
李祥超;王兵
南京信息工程大学气象灾害与应急管理学院,南京 210044南京信息工程大学气象灾害与应急管理学院,南京 210044
电磁脉冲二极管损伤
electromagnetic pulsediodedamage
《电瓷避雷器》 2024 (4)
10-17,8
国家重点研发计划(编号:2017YFC1501505).Project supported by National Key Research and Development Program of China(No.2017YFC1501505).
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