TiO2掺杂对ZnO压敏电阻性能的影响OA
Effect of TiO2 Doping on Properties of ZnO Varistor
通过材料配方中掺杂不同的TiO2探究其对ZnO压敏电阻综合电气性能及退化行为的影响.实验对成品的晶相组成、微观结构、综合电学性能等进行了测试与表征.研究发现当掺杂量为0.4％(摩尔分数,下同)时的样品E4体现了整体较优的表现,其电位梯度由EO的180.2 V/mm降低至147.3 V/mm,α=83.8,IL=0.38 pA.随着20次20 kA的电流冲击,电位梯度均呈下降的趋势,其中掺杂了TiO2的样品中E4表现最佳,％△E1mA+和％△E1m…查看全部>>
The effect of TiO2 doping on the comprehensive electrical properties and degradation behavior of ZnO varistor were investigated.The crystal phase composition,microstructure and comprehensive elec-trical properties of the product were tested and characterized.It is found that the sample E4 with 0.4％(mol fraction,the same below)doping exhibits better overall performance,and its potential gradient de-creases from 180.2 V/mm to 147.3 V/mm,α=83.8,IL=0.38 mA…查看全部>>
吴育聪;任鑫;孙岩;杨莉禹;宁宇;姚政
上海大学理学院纳米科学与技术研究中心,上海2000444上海大学理学院纳米科学与技术研究中心,上海2000444上海大学理学院纳米科学与技术研究中心,上海2000444上海大学理学院纳米科学与技术研究中心,上海2000444上海大学理学院纳米科学与技术研究中心,上海2000444上海大学理学院纳米科学与技术研究中心,上海2000444
ZnO压敏电阻TiO2电学性能
ZnO varistorTiO2electrical properties
《电瓷避雷器》 2024 (4)
64-70,7
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