基于GaAs HBT的C波段RLC负反馈功率放大器设计OA北大核心CSTPCD
Design of C-Band RLC Negative Feedback Power Amplifier Based on GaAs HBT
提出了一款基于GaAs HBT C波段的线性负反馈功率放大器(power amplifier,PA).本设计采用三级共发射极(common emitter,CE)结构,使用两种不同的有源线性偏置来提升PA的线性度,同时使用RLC负反馈网络来提高稳定性和拓展工作带宽.针对传统的负反馈网络结构PA的增益下降问题,RLC负反馈网络可以通过调整负反馈网络中的电感值来有效减小负反馈带来的增益下降的影响.测试结果表明:室温下,在5.1～7.4 GHz范围内,…查看全部>>
A linear negative feedback power amplifier(PA)based on gallium arsenide(GaAs)heterojunction bipolar transistor(HBT)in the C-band is proposed.The design employs a three-stage common emitter(CE)structure and utilizes two different active linear biases to enhance the linearity of the PA.Simultaneously,an RLC negative feedback network is incorporated to improve stability and broaden the operational bandwidth.Addressing the issue of gain reduction in traditional …查看全部>>
傅海鹏;姚攀辉
天津大学 微电子学院,天津 300072天津大学 微电子学院,天津 300072
电子信息工程
功率放大器负反馈异质结双极晶体管(HBT)
power amplifiernegative feedbackheterojunction bipolar transistor(HBT)
《湖南大学学报（自然科学版）》 2024 (8)
101-108,8
国家自然科学基金资助项目(62074110),National Natural Science Foundation of China(62074110)国家重点研发计划资助项目(2018YFB2202500),National Key Research and Development Program of China(2018YFB2202500)
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