Te基热电器件反常界面层生长行为及界面稳定性研究OA北大核心CSTPCD
Interface Layer of Te-based Thermoelectric Device:Abnormal Growth and Interface Stability
单质Te具有优异的热电优值(ZT),但其与金属电极连接界面处的剧烈元素交互扩散及反应会引入较大的接触电阻率(ρc),导致器件的转换效率(η)较低.因此,寻找合适的阻挡层来优化Te与金属电极间的连接至关重要.本研究基于梯度结构报道了一种宽相场Ni-Te合金阻挡层NiTe2-m(NixTe(x=0.500～0.908)).结果表明,当x=0.500 时,Ni0.5Te/Te0.985Sb0.015/Ni0.5Te器件的界面处无任何反应层及微观缺陷,ρ…查看全部>>
Though Te has excellent figure of merit(ZT),the severe element diffusion and reaction at the Te/metallic-electrodes interface render high contact resistivity(ρc)and low device conversion efficiency(η).Therefore,it is critical to develop suitable barrier layers for optimizing the bonding between Te and metallic electrodes.In this work,an appropriate barrier layer,NiTe2-m(NixTe(x=0.500～0.908)),was screened based on gradient structure.No reaction layers and def…查看全部>>
苗鑫;闫世强;韦金豆;吴超;樊文浩;陈少平
太原理工大学 材料科学与工程学院,太原 030024太原理工大学 材料科学与工程学院,太原 030024太原理工大学 材料科学与工程学院,太原 030024太原理工大学 材料科学与工程学院,太原 030024太原理工大学 物理学院,太原 030024太原理工大学 材料科学与工程学院,太原 030024
电子信息工程
Te热电器件扩散动力学阻挡层热稳定性
Tethermoelectric devicediffusion dynamicbarrierthermal stability
《无机材料学报》 2024 (8)
903-910,中插4-中插7,12
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