真空电子技术Issue(4)：P.68-71,75,5.DOI:10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2024.04.14
AlN陶瓷基片的流延法制备及性能研究
谭会会 1于志强 1李海青 1臧向荣 1闫明 1赵云鹏1
作者信息
- 1. 中国电子科技集团公司第十二研究所,北京100015
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摘要
关键词
AlN基片/流延/气氛烧结/性能表征分类
化学化工引用本文复制引用
谭会会,于志强,李海青,臧向荣,闫明,赵云鹏..AlN陶瓷基片的流延法制备及性能研究[J].真空电子技术,2024,(4):P.68-71,75,5.
